Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"E. Behouche"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:2091-2097
In this paper, we report the state-of-the-art results obtained in quasi-self-aligned (QSA) single polysilicon NPN bipolar transistors fabricated within a low-complexity 0.5-/spl mu/m CMOS process. Our devices demonstrate nearly ideal static character
Autor:
T. Gravier, L. Ailloud, B. Blanchard, J. de Pontcharra, L. Vendrame, D. Thomas, E. Behouche, Alain Chantre
Publikováno v:
Proceedings of the 1997 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
A low cost high performance 0.5 /spl mu/m single-poly quasi self-aligned npn bipolar technology is described. The devices feature record f/sub T/ and f/sub max/ values of 30 GHz and 40 GHz respectively, with 4.2 V BV/sub CEO/ well into the range of p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.