Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"E. Balossier"'
Publikováno v:
ISQED
As higher operating frequencies are achieved in advanced digital designs, the influence of inductance on interconnect delays can no longer be ignored. A solution is proposed to prevent parasitic inductance effects on signal integrity by pre-estimatin
TCAD modelling of PLAD implantations and application to sub-65nm technological nodes [plasma doping]
Autor:
Steven R. Walther, Ukyo Jeong, A. Dray, E. Robilliart, Damien Lenoble, D. Villanueva, F. Lallement, S. Mehta, Herve Jaouen, E. Balossier, L. Vet, A. Grouillet, F. Salvetti
Publikováno v:
Proceedings of the 30th European Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04EX850).
Plasma doping (PLAD) is an ion implantation technique under investigation to realize ultra-shallow junctions for 65 nm nodes and beyond. This technique has been modelled and is integrated in TCAD process simulation tools. The most influential paramet
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.