Zobrazeno 1 - 10
of 208
pro vyhledávání: '"E Rzepka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Rzepka, Vy Yam, Charles Renard, Daniel Bouchier, D. Cammilleri, Y. Zheng, Frédéric Fossard, Mathieu Halbwax
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
Journal of Crystal Growth, 2007, 308 (1), pp.26-29. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047⟩
International audience; In this work, the growth of germanium by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on a 0.6nm thick SiO2 layer formed on Si(0 0 1) is investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction, high-resolution transm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::548e263fb1f5d1fcdff5c49efa54a1ed
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.07.047
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 42:242-245
We report on micro-Raman measurements performed under various visible excitations on wurtzite Zn 1− x Mn x O thin films grown by MOCVD, for a wide range of Mn content ( 0 x 0.22 ) . We observe a shift of the frequency of the E 2 phonon for increasi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e67f80ca8c5cdcf8c8e38af46c71ec50
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.04.017
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2007.04.017
Autor:
E. Rzepka, Pierre-Philippe Grand, O. Kerrec, O. Ramdani, Elisabeth Chassaing, Daniel Lincot, Jean-François Guillemoles
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:5909-5912
CuInSe2 thin films one-step electrodeposited under different conditions were studied by MicroRaman spectroscopy to identify and quantify the individual phases present in the films. From the analysis of the Raman spectra, the main ternary phase (CuInS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2f9410deef5404dc3317a5fd8de3031
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.109
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.109
Autor:
J. M. Laroche, Ouri Gorochov, Alain Lusson, E. Rzepka, Julien Barjon, M.-A. Pinault, T. Kociniewski, C. Saguy, Dominique Ballutaud, François Jomard, J. Chevallier
Publikováno v:
physica status solidi (a). 203:3136-3141
Until now, phosphorus is the best substitutional dopant for n-type diamond. Its incorporation is usually achieved using phosphine gas. However, organic precursors of phosphorus have been recently investigated. Among them, tertiarybutylphosphine (TBP)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1cd1b4d499a4af429e660016bcc19e2
https://doi.org/10.1002/pssa.200671113
https://doi.org/10.1002/pssa.200671113