Zobrazeno 1 - 10
of 241
pro vyhledávání: '"E Rosseel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the Design Society. 2:593-602
Given the Industry 4.0 trend towards smaller lot sizes and large product families, there is a need to increase the design efficiency in terms of cost and lead time. Design decisions taken in the early or conceptual design phases are shown to have the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea68446beadcc5bb92e889ff4ba9f80a
https://doi.org/10.1017/pds.2022.61
https://doi.org/10.1017/pds.2022.61
Autor:
C. Porret, J.-L. Everaert, M. Schaekers, L.-A. Ragnarsson, A. Hikavyy, E. Rosseel, G. Rengo, R. Loo, R. Khazaka, M. Givens, X. Piao, S. Mertens, N. Heylen, H. Mertens, C. Toledo De Carvalho Cavalcante, G. Sterckx, S. Brus, A. Nalin Mehta, M. Korytov, D. Batuk, P. Favia, R. Langer, G. Pourtois, J. Swerts, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78086ce8edcc5c3d4eede696a5240455
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
Autor:
H. Mertens, R. Ritzenthaler, Y. Oniki, P. Puttarame Gowda, G. Mannaert, F. Sebaai, A. Hikavyy, E. Rosseel, E. Dupuy, A. Peter, K. Vandersmissen, D. Radisic, B. Briggs, D. Batuk, J. Geypen, G. Martinez-Alanis, F. Seidel, O. Richard, B.T. Chan, J. Mitard, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7559774f6d1287531641ef258b9aefd7
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019497
Autor:
A. Veloso, A. Jourdain, D. Radisic, R. Chen, G. Arutchelvan, B. O'Sullivan, H. Arimura, M. Stucchi, A. De Keersgieter, M. Hosseini, T. Hopf, K. D'have, S. Wang, E. Dupuy, G. Mannaert, K. Vandersmissen, S. Iacovo, P. Marien, S. Choudhury, F. Schleicher, F. Sebaai, Y. Oniki, X. Zhou, A. Gupta, T. Schram, B. Briggs, C. Lorant, E. Rosseel, A. Hikavyy, R. Loo, J. Geypen, D. Batuk, G. T. Martinez, J. P. Soulie, K. Devriendt, B. T. Chan, S. Demuynck, G. Hiblot, G. Van der Plas, J. Ryckaert, G. Beyer, E. Dentoni Litta, E. Beyne, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4fe65e0b6bd182b564dfefec2e7bf7a2
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830177
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830177
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Porret, Y.H. Huang, G. Rengo, H. Yu, M. Schaekers, J.-L. Everaert, M. Heyns, A. Vohra, A. Hikavyy, E. Rosseel, R. Langer, R. Loo
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5e52b56e33ddc6c541446e6961f5bdd
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.n-5-04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.n-5-04
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1f48caeb72cb4c1fed8cb22738db411
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-1-19
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-1-19
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A Das, T Kokubo, Y Furukawa, H Struyf, I Vos, B Sijmus, F Iacopi, J Van. Aelst, Q.T Le, L Carbonell, S Brongersma, M Maenhoudt, Z Tokei, I Vervoort, E Sleeckx, M Stucchi, M Schaekers, W Boullart, E Rosseel, M Van Hove, S Vanhaelemeersch, A Shiota, K Maex
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 64:25-33
Increasing the circuit density is driving the need for lower permittivity interlayer dielectrics (ILD) to reduce the capacitance between long parallel lines. JSR's LKD-5109, an MSQ-based material, is one of such low-k materials for the 65-nm node. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::418d616414353ade522e569289c856b9
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00768-2
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00768-2