Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"E Redmard"'
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 30:131-136
A method for determining both the thickness and the average stoichiometry of thin films is presented. The method is based on implanting radioactive -sources in the substrate prior to layer growth and measuring the energy loss of the -particles as the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92b9f103347d8a4f59a9d768354e60e8
https://doi.org/10.1088/0022-3727/30/1/016
https://doi.org/10.1088/0022-3727/30/1/016
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 28:100-104
A sequence of radioactive decays can be used to implant alpha-emitting sources in substrates for thickness measurements of films grown on them. Starting with 228Th, both direct recoil implantation of 224Ra and a two-stage recoil implantation of 212Pb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::589a529a25596aa1bf63ce6e872d8787
https://doi.org/10.1088/0022-3727/28/1/016
https://doi.org/10.1088/0022-3727/28/1/016
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 15:1531-1533
We present the development of an ultrafast two-dimensional (288 /spl times/ 132 elements) reflection modulator array based on GaAs-AlGaAs multiple quantum-wells embedded in an asymmetric Fabry-Perot structure. The array has low operation voltage (< 4
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11a5c851b9c7b946633b694bab8671ee
https://doi.org/10.1109/lpt.2003.818663
https://doi.org/10.1109/lpt.2003.818663
Autor:
Boaz Eitan, Stefano Parascandola, Dirk Caspary, Torsten Müller, N. Schulze, J. Deppe, Thomas Mikolajick, E. Redmard, V. Polei, Hocine Boubekeur, A. Shappir, L. Bach, P. Kratzert, J. Wilier, M. Strassburg, S. Riedel, N. Nagel, K.-H. Kusters, Dominik Olligs, Ilan Bloom
Publikováno v:
Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005..
A 90nm Twin Flash memory cell with a size of 0.029/spl mu/m/sup 2//bit (3.5F/sup 2/) is presented. This cell is introduced first in a 1.8V, 2Gbit data flash. The Twin Flash technology is based on a shallow trench isolation (STI) bounded cell with loc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fddeb382afc22f722556a3c22aba67bd
https://doi.org/10.1109/.2005.1469236
https://doi.org/10.1109/.2005.1469236
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micron and Microscopica Acta. 22:295
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9497936892b9118b9c51da6c34409648
https://doi.org/10.1016/0739-6260(91)90031-t
https://doi.org/10.1016/0739-6260(91)90031-t
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; Nov2003, Vol. 15 Issue 11, p1531-1533, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.