Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"E Ramirez-Garcia"'
Publikováno v:
Repositorio Institucional del Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia
Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA Nanociencia)
Instituto Madrileño de Estudios Avanzados en Nanociencia (IMDEA Nanociencia)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=RECOLECTA___::7430aa4f6ab206a39ed5323c90c57e30
http://hdl.handle.net/20.500.12614/1553
http://hdl.handle.net/20.500.12614/1553
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Frédéric Aniel, E Ramirez-Garcia, Pascal Chevalier, Alain Chantre, Nicolas Zerounian, Paul Crozat, M. Enciso-Aguilar
Publikováno v:
Cryogenics. 49:620-625
The performances increase at low temperature make the SiGe HBT a masterpiece for cryogenic circuits. The time-progressive enhancement of fT and fMAX toward the THz frequency at room and at cryogenic temperatures is presented along with STMicroelectro
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martha Galaz-Larios, Nicolas Zerounian, M. Enciso-Aguilar, Frédéric Aniel, E Ramirez-Garcia, Donato Valdez-Pérez, L.M. Diaz-Albarran, Luis M. Rodriguez-Mendez
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 31:035020
The influence of temperature (300 K and 40 K) on intrinsic transit times and microwave noise performances of silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) is investigated. At 300 K, we compared measured and modelled S-parameters
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.