Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"E Chery"'
Autor:
O. Varela Pedreira, M. Lofrano, H. Zahedmanesh, Ph. J. Roussel, M. van der Veen, V. Simons, E. Chery, I. Ciofi, K. Croes
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Myriam Assous, S. Simic, A. Plihon, C. Hartler, Jean Charbonnier, Jörg Siegert, Werner Grogger, Stefan Mitsche, Franz Schrank, Stephane Moreau, E. Chery
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 18:313-320
Die-to-wafer interconnections such as copper pillars play a vital role in order to enable 3-D integration. This interconnection type allows increasing the density of interconnects but the occurrence of defects, especially intermetallic compounds (IMC
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Autism and Developmental Language Impairments, Vol 9 (2024)
Background and Aim Recently, there has been a lot of interest surrounding the term gestalt language processor (GLP) which is associated with Natural Language Acquisition (NLA): a protocol intended to support the language development of autistic peopl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e55532842bff4ef3b9c36629d62142f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
European Journal of Public Health. 28
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cedrick Chappaz, T. Frank, F. Lorut, Gilles Poupon, Lucile Arnaud, Lorena Anghel, P. Leduc, Stephane Moreau, Aurelie Thuaire, E. Chery
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2013, 53 (1), pp.17-29. ⟨10.1016/j.microrel.2012.06.021⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (1), pp.17-29. ⟨10.1016/j.microrel.2012.06.021⟩
Microelectronics Reliability, 2013, 53 (1), pp.17-29. ⟨10.1016/j.microrel.2012.06.021⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (1), pp.17-29. ⟨10.1016/j.microrel.2012.06.021⟩
International audience; In this paper, reliability of Through Silicon via (TSV) interconnects is analyzed for two technologies. First part presents an exhaustive analysis of Cu TSV-last approach of 2 μm diameter and 15 μm of depth. Thermal cycling