Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"E Hijzen"'
Publikováno v:
Nano Letters. 7:896-899
We demonstrate highly reproducible silicon nanowire diodes fabricated with a fully VLSI compatible etching technology, with diameters down to 30 nm. A contact technology based on recrystallized polysilicon enables specific contact resistances as low
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::59091cd82d3cda5c0464338a4f00af3e
https://doi.org/10.1021/nl062681n
https://doi.org/10.1021/nl062681n
Publikováno v:
Thin Solid Films. 508:318-322
As device scaling for high-performance bipolar transistors continues, not only the vertical scaling but also the lateral scaling with reduction of the parasitics can have an important impact on the reliability of the HBT. In this work we will present
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec7eec9866bffdcd63cca121b7bb2237
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.101
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.101
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tony Vanhoucke, J.J.T.M. Donkers, P.H.C. Magnee, Hans Mertens, E. Hijzen, E. Gridelet, H.G.A. Huizing, G.A.M Hurkx, D.B.M. Klaassen, J.W. Slotboom, R. van Dalen
Publikováno v:
2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
The increasing complexity of modern technologies has made semiconductor process and device development challenging. A reduction in the number of experimental tests and a detailed internal insight opens the way to a more optimized process in a shorter
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05b0a0f3f70156b3f01ac31f45cacb7b
https://doi.org/10.1109/bctm.2011.6082745
https://doi.org/10.1109/bctm.2011.6082745
Autor:
Angel Rodríguez, T. Nesheiwat, N. Zhang, F. Neuilly, Francis Zaato, E. Hijzen, J. Melai, HongJiang Sun, W.D. van Noort
Publikováno v:
Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008)., 93-96
STARTPAGE=93;ENDPAGE=96;TITLE=Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008).
STARTPAGE=93;ENDPAGE=96;TITLE=Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2008 (BCTM 2008).
The third generation of NXP 0.25 mum SiGe BiCMOS technology (QUBiC4Xi) is presented. The NPN has fT/fmax of 216/177 GHz and BVcb0 of 5.2 V. The high-voltage NPN has 12 V BVcb0, and fT/fmax of 80/162 GHz. This is complemented with an improved MIM capa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::86430482946b9573c17526c7f37ea762
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662720
https://doi.org/10.1109/bipol.2008.4662720
Autor:
A. Piontek, T. Vanhoucke, S. Van Huylenbroeck, L.J. Choi, G.A.M. Hurkx, E. Hijzen, S. Decoutere
Publikováno v:
2006 International SiGe Technology and Device Meeting.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bdbbd3a47f893af68c02073eced04756
https://doi.org/10.1109/istdm.2006.246548
https://doi.org/10.1109/istdm.2006.246548
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Jan2007, Vol. 22 Issue 1, pS9-S12, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.