Методи розробки комп’ютерних засобів для вимірюівння та аналізу електричних властивостей напівпровідникових плівок

Autor: Dunets, Roman, Dzundza, Bogdan, Deichakivskyi, Mykhailo, Mandzyuk, Volodymyr, Terletsky, Andrii, Poplavskyi, Omelian

Publikováno v: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 9 (103) (2020): Інформаційно-керуючі системи; 32-38
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 9 (103) (2020): Информационно-управляющие системы; 32-38
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 9 (103) (2020): Information and controlling system; 32-38

The method is presented and computer tools of automated measurement of electrical parameters and experimental data processing are developed, taking into account models for describing physical processes that determine the operating characteristics of

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::759b901e76ebdc1a0dc0ff0ef10ec291
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/195253

Разработка технологии сверхпроводящей многоуровневой разводки в скоростных GaAs структурах БИС/СБИС

Autor: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Sviatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5 (91) (2018): Applied physics; 53-62
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладная физика; 53-62
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5 (91) (2018): Прикладна фізика; 53-62

Technological aspects of the use of superconducting materials are considered and the possibility of making targets for magnetron deposition of films for the formation of cryoconductive wiring in GaAs-based LSI-structures is shown. The technological m

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::477d77db4a1488785e378bf72b37a2b2
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/123143

Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates

Autor: Novosiadlyi, Stepan, Kotyk, Myhaylo, Dzundza, Bogdan, Gryga, Volodymyr, Novosiadlyi, Svyatoslav, Mandzyuk, Volodymyr

Publikováno v: Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНА ФІЗИКА; 26-34
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА; 26-34
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 5 (89) (2017): APPLIED PHYSICS; 26-34

Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::88b0108369b681c6104e0d73638035b2
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/112289