Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Duvanskii, A.V."'
Autor:
Khirunenko, L.I., Pomozov, Yu.V., Sosnin, M.G., Duvanskii, A.V., Sobolev, N.A., Abrosimov, N.V., Riemann, H.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 2009 404(23-24):4698-4700
Autor:
Khirunenko, L.I., Pomozov, Yu.V., Sosnin, M.G., Trypachko, M.O., Duvanskii, A.V., Abrosimov, N.V., Riemann, H., Lastovskii, S.B., Murin, L.I., Markevich, V.P., Peaker, A.R.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(4):525-530
Autor:
Gusakov, V. E., Lastovskii, S.B., Murin, L. I., Tolkacheva, E.A., Khirunenko, L. I., Sosnin, M. G., Duvanskii, A.V., Markevich, Vladimir, Halsall, Matthew, Peaker, Anthony, Kolevatov, I, Ayedh, H.M., Monakhov, E. V., Svensson, B. G.
Publikováno v:
Gusakov, V E, Lastovskii, S B, Murin, L I, Tolkacheva, E A, Khirunenko, L I, Sosnin, M G, Duvanskii, A V, Markevich, V, Halsall, M, Peaker, A, Kolevatov, I, Ayedh, H M, Monakhov, E V & Svensson, B G 2017, ' The di-interstitial in silicon: Electronic properties and interactions with oxygen and carbon impurity atoms ', Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science . https://doi.org/10.1002/pssa.201700261
New experimental and theoretical results on the silicon di-interstitial (I2) and itsinteractions with oxygen and carbon impurity atoms in Si crystals are reported. The electronic structure calculations indicate that I2 has an acceptor and a donor lev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3818::803f6a5025ed35f28cd61dd9115582e0
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/the-diinterstitial-in-silicon-electronic-properties-and-interactions-with-oxygen-and-carbon-impurity-atoms(bf32c5b3-6d4a-4f49-84bc-f7d680c4c96f).html
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/the-diinterstitial-in-silicon-electronic-properties-and-interactions-with-oxygen-and-carbon-impurity-atoms(bf32c5b3-6d4a-4f49-84bc-f7d680c4c96f).html
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2011, Vol. 178 Issue: 1 p178-182, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.