Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"Dussaigne, Amélie"'
Autor:
Richter, Carsten, Kaganer, Vladimir M., Even, Armelle, Dussaigne, Amélie, Ferret, Pierre, Barbier, Frédéric, Vaillant, Yves-Matthieu Le, Schülli, Tobias U.
Strain and composition play a fundamental role in semiconductor physics, since they are means to tune the electronic and optical properties of a material and hence develop new devices. Today it is still a challenge to measure strain in epitaxial syst
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.14819
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dussaigne, Amélie
Ce travail concerne la croissance par épitaxie sous jets moléculaires avec NH3 comme source d'azote de diodes électroluminescentes (DELs) blanches monolithiques. La méthode proposée au laboratoire consiste à insérer dans la zone active de la D
Externí odkaz:
http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00332387
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/33/23/87/PDF/These-Amelie-Dussaigne.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/33/23/87/PDF/These-Amelie-Dussaigne.pdf
Autor:
Mrad, Mrad, Licitra, Christophe, Dussaigne, Amélie, Yon, Victor, Richy, Jérôme, Lafossas, Matthieu, Kanyandekwe, Joel, Feuillet, Guy, Charles, Matthew
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 April 2020 536
Autor:
Amichi, Lynda, Mouton, Isabelle, Di Russo, Enrico, Boureau, Victor, Barbier, Frédéric, Dussaigne, Amélie, Grenier, Adeline, Jouneau, Pierre-Henri, Bougerol, Catherine, Cooper, David
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-7, 7p, 1 Chart, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pernel, Carole, Medjahed, Ilyes, Audibert, Margaux, Dussaigne, Amélie, Barbier, Frederic, Veux, Guillaume, Martin, Brigitte, Dupré, Ludovic
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2023, Vol. MA2023-02 Issue 1, p1573-1573, 1p
Autor:
Corfdir, Pierre, Dussaigne, Amélie, Shahmohammadi, Mehran, Teisseyre, Henryk, Suski, Tadeusz, Lefebvre, Pierre, Grzegory, Izabella, Giraud, E., Phillips, Richard t., Grandjean, Nicolas, Deveaud-Plédran, Benoit
Publikováno v:
E-MRS Fall Meeting
E-MRS Fall Meeting, European Materials Society, Sep 2013, Varsovie, Poland
E-MRS Fall Meeting, European Materials Society, Sep 2013, Varsovie, Poland
International audience; In contrast to GaN-based structures grown along [0001], nonpolar growth allows for the realization of thick quantum wells (QWs) with an optimal overlap between electron and hole wavefunctions. However, nonpolar GaN layers grow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0147280d72c6ac0d1f4e4152788abf0e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01306226
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01306226
Autor:
Corfdir, Pierre, Dussaigne, Amélie, Teisseyre, H., Suski, Tadeusz, Grzegory, Izabella, Lefebvre, Pierre, Giraud, E., Ganière, Jean-Daniel, Grandjean, N., Deveaud-Plédran, Benoit
Publikováno v:
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2012).
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2012)., Oct 2012, Sapporo, Japan
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN 2012)., Oct 2012, Sapporo, Japan
International audience; Contrary to GaN-based structures grown along [0001], nonpolar heterostructures allow for the growth of thick QWs, while keeping an optimal overlap between electron and hole wave functions. However, the use of lattice-mismatche
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5e38c6b9fbedea9f29ef0d61ce069072
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00708711
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00708711