Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Dusane, RO"'
Autor:
Rhode, SL, Fu, WY, Moram, MA, Massabuau, FCP, Kappers, MJ, McAleese, C, Oehler, F, Humphreys, CJ, Dusane, RO, Sahonta, SL
The formation of trench defects is observed in 160 nm-thick InxGa1−xN epilayers with x ≤ 0.20, grown on GaN on (0001) sapphire substrates using metalorganic vapour phase epitaxy. The trench defect density increases with increasing indium content,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______109::b167c0f31cb59d1328bd60d4d158b797
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/246004
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/246004
Publikováno v:
IndraStra Global.
Hydrogen-plasma-induced surface modification of spin-on hydrogen silsesquioxane (HSQ) thin films has been studied with a view to understand the various physical and chemical aspects of the process. An extensive characterization of the chemical struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::fbb3489cc7d7c3a5c9d2175ac6fdcd83
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/9847
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/9847
Publikováno v:
IndraStra Global.
Low-density materials, such as the commercially available hydrogen silsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. Thus, HSQ with a low value of k (not, vert, similar 2.85) can be spin-coated if the density of Si–H bonding is maintained at a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::264f6689f8e983a4a331a735ac2b3cdb
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/1419
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/1419
Autor:
DUSANE, RO
Publikováno v:
IndraStra Global.
The solution to the problem of increased resistance-capacitance (RC) delay in the present day ULSI is to use porous low-k dielectric films (k = 2.0) along with Copper interconnects. There are a number of issues with Cu/low-k integration, such as Cu d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::618d594785879b36e08c441302b0a685
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/9848
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/10054/9848
Publikováno v:
IndraStra Global.
Hydrogenated amorphous silicon/carbon films (a-Si-C:H) are deposited from a silane and acetylene gas mixture by the catalytic chemical vapour deposition (Cat-CVD) technique. It is observed that under certain conditions of total gas pressure and filam
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::d3dcacf22de8763afcf7c71caf35b7fb
https://igi.indrastra.com/items/show/61182
https://igi.indrastra.com/items/show/61182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.