Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"Dursap, T."'
Autor:
Dudko, I., Dursap, T., Lamirand, A. D., Botella, C., Regreny, P., Danescu, A., Brottet, S., Bugnet, M., Walia, S., Chauvin, N., Penuelas, J.
Hexagonal group IV materials like silicon and germanium are expected to display remarkable optoelectronic properties for future development of photonic technologies. However, the fabrication of hexagonal group IV semiconductors within the vapour-liqu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.03955
Autor:
Dursap, T., Vettori, M., Botella, C., Regreny, P., Blanchard, N., Gendry, M., Chauvin, N., Bugnet, M., Danescu, A., Penuelas, J.
The accurate control of the crystal phase in III-V semiconductor nanowires (NWs) is an important milestone for device applications. In this work, we present a method to select and maintain the wurtzite (WZ) crystal phase in self-assisted NWs. By choo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.16047
Autor:
Dursap, T., Vettori, M., Danescu, A., Botella, C., Regreny, P., Patriarche, G., Gendry, M., Penuelas, J.
It is well known that the crystalline structure of the III-V nanowires (NWs) is mainly controlled by the wetting contact angle of the catalyst droplet which can be tuned by the III and V flux. In this work we present a method to control the wurtzite
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.06502
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peric, N, Dursap, T, Becdelievre, J, Berthe, M, Addad, A, Romeo, P Rojo, Bachelet, R, Saint-Girons, G, Lancry, O, Legendre, S, Biadala, L, Penuelas, J, Grandidier, B
Publikováno v:
Nanotechnology; 8/30/2022, Vol. 33 Issue 37, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Botella, C., Bouras, M., Dursap, T., Han, D., Vettori, M., Bachelet, R., Penuelas, J., Gendry, Michel, Saint-Girons, G.
Publikováno v:
GDR Pulse-Ateliers
GDR Pulse-Ateliers, Oct 2018, Toulouse, France
GDR Pulse-Ateliers, Oct 2018, Toulouse, France
International audience; La diffraction RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) est la principale technique d'analyse pour suivre en temps réel l'évolution d'une croissance épitaxiale de couches minces réalisée dans un réacteur d'ép
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8365bedc2df9407a0eec542acf4d648d
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073272
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073272
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.