Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Durmuş, Mehmet Atıf"'
Autor:
Shakir, Hafiz Muhammad, Suleiman, Abdulsalam Aji, Kalkan, Kübra Nur, Parsi, Amir, Başçı, Uğur, Durmuş, Mehmet Atıf, Ölçer, Ahmet Osman, Korkut, Hilal, Sevik, Cem, Sarpkaya, İbrahim, Kasırga, Talip Serkan
Excitons in monolayer transition metal dichalcogenides (TMDCs) offer intriguing new possibilities for optoelectronics with no analogues in bulk semiconductors. Yet, intrinsic defects in TMDCs limit the radiative exciton recombination pathways. As a r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.20636
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nano Letters; May 2024, Vol. 24 Issue: 19 p5767-5773, 7p
Autor:
Durmuş, Mehmet Atıf, Demiralay, Kaan, Khan, Muhammad Mansoor, Atalay, Şeyma Esra, Sarpkaya, Ibrahim
Publikováno v:
NPJ 2D Materials & Applications; 9/11/2023, Vol. 7 Issue 1, p1-8, 8p
Autor:
Durmuş MA; Bilkent University UNAM - National Nanotechnology Research Center, Ankara 06800, Turkey., Sarpkaya I; Bilkent University UNAM - National Nanotechnology Research Center, Ankara 06800, Turkey.
Publikováno v:
Nano letters [Nano Lett] 2024 May 15; Vol. 24 (19), pp. 5767-5773. Date of Electronic Publication: 2024 Apr 19.