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Dissertation/ Thesis

Conception et réalisation d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN

Autor: Dupuy, Victor

Ces travaux de thèse se concentrent sur la conception d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN pour des applications militaires de type radar et guerre électronique. Les objectifs principaux sont de proposer d

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2014BORD0211/document

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État des lieux des thérapies géniques en ophtalmologie

Autor: Dupuy, Victor

Publikováno v: Sciences pharmaceutiques. 2023

L'objectif de cette thèse est d'offrir une vue d'ensemble sur l'état actuel des thérapies géniques en ophtalmologie. Si l'approbation du Luxturna® pour l'amaurose congénitale de Leber causée par une mutation bi-allélique du gène RPE65 a ét�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3430::966578ab4a51b437127cf7e13aa8af86
https://dumas.ccsd.cnrs.fr/dumas-04152439

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Etudes d'Hygiène militaire. (Cand. Victor Dupuy.).

Autor: Dupuy, Victor.

Th.--Méd.--Paris, 1872.
Voyez tome 6. N ° 7. Paris, 1872.

Externí odkaz: http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb36877330g

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A 39.7 dBm and 18.5% PAE compact X to Ku band GaN Travelling Wave Amplifier

Autor: Dupuy, Victor, Kerhervé, Eric, Deltimple, Nathalie, Plaze, Jean-Philippe, Dueme, Philippe, Mancuso, Yves

Publikováno v: PROCEEDINGS OF IEEE MWSCAS 2014
MWSCAS 2014
MWSCAS 2014, Aug 2014, college station, United States

International audience; This article presents an 8GHz to 18GHz Travelling Wave Amplifier (TWA) averaging 39.7dBm of output power and 18.5% Power Added Efficiency (PAE). At 11 GHz, the TWA reaches a peak output power 40.4dBm and a peak PAE of 22%. The

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c814dc05463771ca16228e0775e62d71
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00991889/file/MWCAS_VictorDupuy.pdf

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Very high efficiency SiGe and GaN High Power Amplifiers for tile modules

Autor: Dupuy, Victor, Kerhervé, Eric, Deltimple, Nathalie, Demirel, Nejdat, Mancuso, Yves

Publikováno v: IEEE IMS 2014
IEEE IMS 2014, Jun 2014, tampa, Florida, United States

International audience; This presentation will deal with both SiGe and GaN High Power Amplifiers (HPA). Outstanding power levels in X-band are reported in SiGe (more than 3 W) with power added efficiency (PAE) better than 30%, well above previous sta

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::94acb8622033265663d9f8bafcdf1713
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00991925

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Balun actif bande S/C en technologie GaN

Autor: Dupuy, Victor, Deltimple, Nathalie, Mancuso, Yves, Auric, Claude, Kerherve, Eric

Publikováno v: JNM 2013
JNM 2013, May 2013, Paris, France

National audience; Cet article présente un circuit en technologie GaN en bande S/C réalisant la fonction de conversion du mode single vers le mode différentiel. D'autre part ce circuit peut être utilisé comme préamplificateur d'un amplificateur

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::875d7e4af15f751aacc0eac3a45be5f7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00991864/file/JNM_2013_Victor_Dupuy_4pages.pdf

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