Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Duong, Quang T."'
HfO2-based ferroelectric tunnel junctions (FTJs) exhibit attractive properties for adoption in neuromorphic applications. The combination of ultra-low-power multi-level switching capability together with the low on-current density suggests the applic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.10437
Autor:
Covi, Erika, Duong, Quang T., Lancaster, Suzanne, Havel, Viktor, Coignus, Jean, Barbot, Justine, Richter, Ole, Klein, Philip, Chicca, Elisabetta, Grenouillet, Laurent, Dimoulas, Athanasios, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
Publikováno v:
2021 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2021, pp. 1-5
Ferroelectric tunneling junctions (FTJ) are considered to be the intrinsically most energy efficient memristors. In this work, specific electrical features of ferroelectric hafnium-zirconium oxide based FTJ devices are investigated. Moreover, the imp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.01853
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Urology 2009 74(4) Supplement:S90-S90
