Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"Dunaevskiy M"'
Autor:
Dunaevskiy, M. S.1 (AUTHOR) Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru, Gushchina, E. V.1 (AUTHOR), Malykh, D. A.1 (AUTHOR), Lebedev, S. P.1 (AUTHOR), Lebedev, A. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Dec2023, Vol. 49 Issue 12, p238-241. 4p.
Autor:
Alekseev, P. A., Dunaevskiy, M. S., Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Smirnov, A. N., Davydov, V. Yu., Berkovits, V. L.
Fermi level pinning at the oxidized (110) surfaces of III-As nanowires (GaAs, InAs, InGaAs, AlGaAs) is studied. Using scanning gradient Kelvin probe microscopy, we show that the Fermi level at oxidized cleavage surfaces of ternary Al$_{x}$Ga$_{1-x}$A
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.06227
Autor:
Alekseev, P. A., Dunaevskiy, M. S., Kirilenko, D. A., Smirnov, A. N., Davydov, V. Yu., Berkovits, V. L.
We study structural and chemical transformations induced by focused laser beam in GaAs nanowires with axial zinc-blende/wurtzite (ZB/WZ) heterostucture. The experiments are performed using a combination of transmission electron microscopy, energy-dis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.04590
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dunaevskiy, M. S.1 (AUTHOR) Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru, Alekseev, P. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2023, Vol. 57 Issue 4, p231-233. 3p.
Publikováno v:
Semiconductors; Apr2024, Vol. 58 Issue 4, p289-294, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Balunov, P. A., Ankundinov, A. V., Breev, I. D., Dunaevskiy, M. S., Goltaev, A. S., Galimov, A. I., Jmerik, V. N., Likhachev, K. V., Rakhlin, M. V., Toropov, A. A., Vlasov, A. S., Mintairov, A. M.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 5/29/2023, Vol. 122 Issue 22, p1-6, 6p