Zobrazeno 1 - 10 of 32 pro vyhledávání: '"Dumin, D. J."'
1
Akademický článek
Low-level leakage currents in thin silicon oxide films.
Autor: Dumin, D. J., Cooper, J. R., Maddux, J. R., Scott, R. S., Wong, D.-P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1994, Vol. 76 Issue 1, p319, 9p, 2 Diagrams, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Determination of the relative densities of high-voltage stressed-generated traps near the anode and cathode in 10-nm-thick silicon oxides.
Autor: Hughes, T. W., Dumin, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1996, Vol. 79 Issue 6, p3089, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Temperature Dependence of the Hall Mobility and Carrier Concentration in Silicon-on-Sapphire Films.
Autor: Dumin, D. J., Ross, E. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1970, Vol. 41 Issue 7, p3139-3143, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Carrier Transport in Thin Silicon Films.
Autor: Dumin, D. J., Robinson, P. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1968, Vol. 39 Issue 6, p2759-2765, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Electrical Properties of Silicon Films Grown Epitaxially on Sapphire.
Autor: Dumin, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1967, Vol. 38 Issue 4, p1909-1914, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Properties of Gallium Arsenide Diodes between 4.2° and 300°K.
Autor: Dumin, D. J., Pearson, G. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1965, Vol. 36 Issue 11, p3418-3426, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Deformation of and Stress in Epitaxial Silicon Films on Single-Crystal Sapphire.
Autor: Dumin, D. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1965, Vol. 36 Issue 9, p2700-2703, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Oxide Wearout, Breakdown, and Reliability.
Autor: Dumin, D. J.
Publikováno v: International Journal of High Speed Electronics & Systems. Sep2001, Vol. 11 Issue 3, p617. 102p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Characterizing wearout, breakdown, and trap generation in thin silicon oxide.
Autor: Dumin, D. J., Maddux, J. R., Subramoniam, R., Scott, R. S., Vanchinathan, S., Dumin, N. A., Dickerson, K. J., Mopuri, S., Gladstone, S. M., Hughes, T. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1995, Vol. 13 Issue 4, p1780-1787, 8p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje