Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Duhey, S."'
Autor:
Weis, C. D., Schuh, A., Batra, A., Persaud, A., Rangelow, I. W., Bokor, J., Lo, C. C., Cabrini, S., Olynick, D., Duhey, S., Schenkel, T.
We report on progress in ion placement into silicon devices with scanning probe alignment. The device is imaged with a scanning force microscope (SFM) and an aligned argon beam (20 keV, 36 keV) is scanned over the transistor surface. Holes in the lev
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0809.2113
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.