Zobrazeno 1 - 10
of 218
pro vyhledávání: '"Duffy, Ray"'
Autor:
Bugu, Sinan, Biradar, Sheshank, Blake, Alan, Liu, CheWee, Myronovd, Maksym, Duffy, Ray, Fagas, Giorgos, Petkov, Nikolay
Charge or spin-qubits can be realized by using gate-defined quantum dots (QDs) in semiconductors in a similar fashion to the processes used in CMOS for conventional field-effect transistors or more recent fin FET technology. However, to realize large
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.14966
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tonon, Alessandro, Di Russo, Enrico, Sgarbossa, Francesco, Bacci, Luca, Argiolas, Nicola, Scian, Carlo, Ivanov, Yurii P., Divitini, Giorgio, Sheehan, Brendan, De Salvador, Davide, Gasparotto, Andrea, Morandi, Vittorio, Duffy, Ray, Napolitani, Enrico
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing September 2023 164
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 August 2023 163
Autor:
Petkov, Nikolay, Georgieva, Margarita, Bugu, Sinan, Duffy, Ray, McCarthy, Brendan, Myronov, Maksym, Kelleher, Ann-Marie, Maxwell, Graeme, Fagas, Giorgos
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 August 2023 280
Strain is commonly used in metal-oxide-semiconductor technologies to boost on-state performance. This booster has been in production for at least a decade. Despite this, a systematic study of the impact of strain on off-state leakage current has been
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1712.03011
Autor:
Marquez, Carlos, Salazar, Norberto, Gity, Farzan, Galdon, Jose C., Navarro, Carlos, Duffy, Ray, Hurley, Paul, Gamiz, Francisco
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2021 186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gity, Farzan, Meaney, Fintan, Curran, Anya, Hurley, Paul K., Fahy, Stephen, Duffy, Ray, Ansari, Lida
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/7/2021, Vol. 129 Issue 1, p1-9, 9p