Zobrazeno 1 - 10
of 1 047
pro vyhledávání: '"Dubat, A."'
Autor:
Dubat, Arnaud1 adubat@kpmanalytics.com, Bock, Jayne E.2 jbock@wmcinc.org
Publikováno v:
Cereal Technology / Getreidetechnologie. jul-sep2024, Vol. 78 Issue 3, p134-142. 9p.
Autor:
Dubat, Arnaud1 adubat@kpmanalytics.com, Bock, Jayne E.2 jbock@wmcinc.org
Publikováno v:
Cereal Technology / Getreidetechnologie. 2024, Issue 2, p68-79. 12p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1995 IEEE TENCON IEEE Region 10 International Conference on Microelectronics & VLSI 'Asia-Pacific Microelectronics 2000' Proceedings; 1995, p391-394, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 4th International Conference on Mechatronics, Materials, Chemistry and Computer Engineering 2015.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3b7681e9e6722f7423d42759c508290c
https://doi.org/10.2991/icmmcce-15.2015.583
https://doi.org/10.2991/icmmcce-15.2015.583
Publikováno v:
1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.98EX105).
In this paper the voltage controlled current bistability (VCCB) hysteresis loop has been found in the I/sub C/-V/sub BE/ characteristics for the DUal BAse transistor (DUBAT). The ratio of high current to low current (R) is 945 and the width of bistab
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::733a75526d86a1249e7b76bdc814aebf
https://doi.org/10.1109/icsict.1998.785848
https://doi.org/10.1109/icsict.1998.785848
Publikováno v:
1995 IEEE TENCON. IEEE Region 10 International Conference on Microelectronics and VLSI. 'Asia-Pacific Microelectronics 2000'. Proceedings.
In this paper, the principle and realization of the voltage (current) controlled frequency modulation effect on one of the three terminal voltage controlled negative resistance devices-Dual Base transistor (DUBAT)-have been described for the first ti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c8e2f78e5a9cd753ce367ef4788623af
https://doi.org/10.1109/tencon.1995.496422
https://doi.org/10.1109/tencon.1995.496422
Publikováno v:
1998 5th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology Proceedings (Cat No98EX105); 1998, p184-187, 4p