Zobrazeno 1 - 10
of 632
pro vyhledávání: '"Dual-material"'
Autor:
Ashok Bhadeliya, Birgit Rehmer, Bernard Fedelich, Torsten Jokisch, Birgit Skrotzki, Jürgen Olbricht
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 32, Iss , Pp 3737-3749 (2024)
The integration of additive manufacturing with traditional processes, termed hybrid additive manufacturing, has expanded its application domain, particularly in the repair of gas turbine blade tips. However, process-related defects in additively manu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/34789f39312947508d7ba9729b7cb642
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 9, Iss , Pp 100725- (2024)
By understanding the potential benefits of Gate Stack Dual Material double gate MOSFET (DG MOSFET), this research aims to contribute to the investigation of its electrical characteristics with improved performance and dependability. A detailed invest
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a82444e6d8fb42288bc5988e14ff5851
Autor:
Mathilde Grosjean, Christina Schmidleithner, Stéphane Dejean, Niels B. Larsen, Benjamin Nottelet
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 241, Iss , Pp 112953- (2024)
Actuators are largely used in biomedical applications in the presence of sensitive live cells or biomolecules, which makes actuators triggered by water uptake highly appealing. Dual-material printing and hydration driven expansion is a method of choi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a0a478b1ec4646129a1901648b22ccfb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 230, Iss , Pp 111996- (2023)
Lattice structures with bistability can maintain additional equilibrium states after external loads are removed. While conventional bistable structures typically realize compression and torsional bistabilities under compression and twisting loads, th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba0b5642fb9a4de6b72a0f5c1cac8ef5
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 12, p 2149 (2023)
A new structure for PNPN tunnel field-effect transistors (TFETs) has been designed and simulated in this work. The proposed structure incorporates the polarity bias concept and the gate work function engineering to improve the DC and analog/RF figure
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b286acb7d74640e3b12a8576350d2043
Autor:
Jiajing Dong, Songtao Ying, Zhuohao Qiu, Xixi Bao, Chengyi Chu, Hao Chen, Jianjun Guo, Aihua Sun
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 11, p 2120 (2023)
Auxetic re-entrant honeycomb (AREH) structures, consisting of a single soft or tough material, have long faced the challenge of balancing stiffness and rebound resilience. To achieve this balance, dual-material printing technology is employed to enha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8db2f4ac1e724e67bd044bdce65d028b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.