Zobrazeno 1 - 10
of 136
pro vyhledávání: '"Dual-Pearson"'
Autor:
Hidekatsu Onose, Kazuhiro Mochizuki
Publikováno v:
Materials Science Forum. :607-610
We demonstrate a Dual-Pearson approach to model ion-implanted Al concentration profiles in 4H-SiC for high-precision design of high-voltage power devices. Based on the Monte Carlo simulated data for 35-400 keV implantation, we determine the nine Dual
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bc7e2e631b7e595fbf8bb2dbece23e0
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.607
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.607
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 33:645-650
A semi-empirical approach for modeling of ion-implanted impurity distributions has an inherent advantage of high computational efficiency which is a vital issue for the simulation of a large number of processing steps required in the fabrication of h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60551667a24773f4eee52c503aaceeb7
https://doi.org/10.1016/0038-1101(90)90176-f
https://doi.org/10.1016/0038-1101(90)90176-f
Publikováno v:
2007 International Workshop on Junction Technology.
Indium depth profiles were obtained for various energies and tilt angles to provide precise dual Pearson parameter data set. Dual Pearson model can reproduce an In profile with channeling tail. The obtained data set is available with commercial TCAD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5a7c9ee280e936e6b87e1db2a5a1743
https://doi.org/10.1109/iwjt.2007.4279938
https://doi.org/10.1109/iwjt.2007.4279938
Autor:
Mochizuki, Kazuhiro, Onose, Hidekatsu
Publikováno v:
Materials Science Forum; September 2008, Vol. 600 Issue: 1 p607-610, 4p
Publikováno v:
2011 International Meeting for Future of Electron Devices.
In this paper, a new statistical analysis method is presented to investigate the effect of nine factors in the 65nm MOSFET structure. The aim of this work is to clarify the electrical properties, correlation of the principal factors, based on explora
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::053c8288505207631337a9d31ee2da09
https://doi.org/10.1109/imfedk.2011.5944840
https://doi.org/10.1109/imfedk.2011.5944840
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martí Hidalgo, Inés
Publikováno v:
RiuNet. Repositorio Institucional de la Universitat Politécnica de Valéncia
instname
instname
[ES] Los materiales semiconductores constituyen la base de numerosas tecnologías hoy en día. Entre ellos, el carburo de silicio se caracteriza por tener superiores características físicas y eléctricas respecto a los semiconductores tradicionales
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3f205880095fef4604bef303f9cb72cc
https://hdl.handle.net/10251/189198
https://hdl.handle.net/10251/189198
