Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Dshkhunyan, V. L."'
Publikováno v:
Russian Microelectronics, 2003, V.32, N 1, P. 51
A hierarchical approach to the construction of compound distributions for process-induced faults in IC manufacture is proposed. Within this framework, the negative binomial distribution and the compound binomial distribution are treated as level-1 mo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/0303039
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
A hierarchical approach to the construction of compound distributions for process-induced faults in IC manufacture is proposed. Within this framework, the negative binomial distribution and the compound binomial distribution are treated as level-1 mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::94e630f3b99e3863b7a36a9801907f6e
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0037273651&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0037273651&partnerID=MN8TOARS