Zobrazeno 1 - 10 of 55 pro vyhledávání: '"Druelle, Y."'
1
Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs
Autor: Theron, Didier, Boudart, B., Druelle, Y., Salmer, Georges, Lipka, M., Kohn, Erhard
Publikováno v: 6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO)
6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1997, Chantilly, France
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::01599fce46d2c2677fe1946f6cbd39b3
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01654456
Zobrazit plný text záznamu
2
-low temperature GaAs/GaInP FET: device technology and characterization
Autor: Theron, Didier, Boudart, B., Zaknoune, Mohamed, Mollot, Francis, Druelle, Y., Gérard, Henri, Salmer, Georges, Lipka, M., Westphalen, R., Kohn, Erhard
Publikováno v: Workshop on non-stoichiometric GaAs and related materials
Workshop on non-stoichiometric GaAs and related materials, 1996, Santa Barbara, United States
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::57b66c491d8ca4294a8211deeef868b7
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01654286
Zobrazit plný text záznamu
3
GaAs basse température : de la croissance à la réalisation de composants MISFETs
Autor: Theron, Didier, Boudart, B., Robert, Christophe, Wallart, Xavier, Druelle, Y.
Publikováno v: 5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO)
5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1994, Ecully, France
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::fbf0f6fd7125bc0ab723a363aeb0c14c
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01654453
Zobrazit plný text záznamu
4
Growth of low temperature GaAs on GaAs under different conditions
Autor: Théron, Didier, Boudart, B., Westphalen, R., Wallart, Xavier, Druelle, Y.
Publikováno v: 3rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH)
3rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1993, Villeneuve d'Ascq, France
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::02d73fbb6e1ac0cd858921286ddcf8be
https://hal.science/hal-01654281
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Metamorphic In/sub 0.3/Ga/sub 0.7/As/In/sub 0.29/Al/sub 0.71/As layer on GaAs: a new structure for millimeter wave ICs.
Autor: Win, P., Druelle, Y., Cappy, A., Cordier, Y., Adam, D., Favre, J.
Publikováno v: Proceedings of IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices & Circuits; 1993, p511-519, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Metamorphic In0.27Ga0.73As/In0.25Al0.75As HEMT on GaAs: MBE growth and device performance.
Autor: Win, P., Cordier, Y., Druelle, Y., Bouillet, C., Favre, J, Cappy, A.
Publikováno v: ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference; 1992, p317-320, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
A Ka Band Avalanche Diode Up-Converter.
Autor: Vaterkowski, J.L., Constant, E., Druelle, Y.
Publikováno v: 1974 4th European Microwave Conference; 1974, p459-463, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Large-signal behaviour and capability of the transistor transit-time oscillator.
Autor: Druelle, Y., Crosnier, Y., Salmer, G.
Publikováno v: IEE Proceedings: Part I: Solid-State & Electron Devices; Apr1980, Vol. 127 Issue 2, p72-77, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje