Zobrazeno 1 - 10
of 688
pro vyhledávání: '"Drozdov, A. N."'
Autor:
Pashenkin, I. Yu., Tatarskiy, D. A., Churin, S. A., Nechay, A. N., Drozdov, M. N., Sapozhnikov, M. V., Polushkin, N. I.
One of issues arising in materials science is a behavior of non-equilibrium point defects in the atomic lattice, which defines the rates of chemical reactions and relaxation processes as well as affects the physical properties of solids. It is previo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.16423
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fedorov, Vladimir V., Dvoretckaia, Liliia N., Mozharov, Alexey M., Fedina, Sergey V., Kirilenko, Demid A., Berezovskaya, Tamara N., Faleev, Nikolai N., Yunin, Pavel A., Drozdov, Mikhail N., Mukhin, Ivan S.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing December 2023 168
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mazzocchi, V., Sennikov, P. G., Bulanov, A. D., Churbanov, M. F., Bertrand, B., Hutin, L., Barnes, J. P., Drozdov, M. N., Hartmann, J. M., Sanquer, M.
Silicon-based quantum bits with electron spins in quantum dots or nuclear spins on dopants are serious contenders in the race for quantum computation. Added to process integration maturity, the lack of nuclear spins in the most abundant $^{28}$silico
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1807.04968
Autor:
Drozdov, M. N., Drozdov, Y. N., Csik, A., Novikov, A. V., Vad, K., Yunin, P. A., Yurasov, D. V., Belykh, S. F., Gololobov, G. P., Suvorov, D. V., Tolstogouzov, A.
Quantification of Ge in Si1-xGex structures (0.0920.9997) of intensity ratios
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.01612
Autor:
Okhapkin, A. I.1 (AUTHOR) poa89@ipmras.ru, Drozdov, M. N.1 (AUTHOR), Yunin, P. A.1 (AUTHOR), Kraev, S. A.1 (AUTHOR), Radishev, D. B.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jan2024, Vol. 58 Issue 1, p57-60. 4p.
Autor:
Pakhomov, Georgy L., Travkin, Vlad V., Drozdov, Mikhail N., Sachkov, Yury I., Yunin, Pavel A.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 March 2022 578
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.