Zobrazeno 1 - 10
of 275
pro vyhledávání: '"Droulers, P."'
Autor:
Sunniva Labarthe
Publikováno v:
Cahiers des Amériques Latines, Vol 69, Pp 178-183 (2012)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1aeebb6d42c441a886e1fe7581b14dc5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zwerver, A. M. J., Krähenmann, T., Watson, T. F., Lampert, L., George, H. C., Pillarisetty, R., Bojarski, S. A., Amin, P., Amitonov, S. V., Boter, J. M., Caudillo, R., Corras-Serrano, D., Dehollain, J. P., Droulers, G., Henry, E. M., Kotlyar, R., Lodari, M., Luthi, F., Michalak, D. J., Mueller, B. K., Neyens, S., Roberts, J., Samkharadze, N., Zheng, G., Zietz, O. K., Scappucci, G., Veldhorst, M., Vandersypen, L. M. K., Clarke, J. S.
Publikováno v:
Nature Electronics 5, 184-190 (2022)
Full-scale quantum computers require the integration of millions of quantum bits. The promise of leveraging industrial semiconductor manufacturing to meet this requirement has fueled the pursuit of quantum computing in silicon quantum dots. However,
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2101.12650
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
François-Michel Le Tourneau
Publikováno v:
Cahiers des Amériques Latines, Vol 48, Pp 248-249 (2005)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40562c674993426c81675d46af571ad7
Autor:
Laurent Vidal
Publikováno v:
Cahiers des Amériques Latines, Vol 41, Pp 169-170 (2002)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9df50426802f418e88811ccdc78606b6
Autor:
Lawrie, W. I. L., Eenink, H. G. J., Hendrickx, N. W., Boter, J. M., Petit, L., Amitonov, S. V., Lodari, M., Wuetz, B. Paquelet, Volk, C., Philips, S., Droulers, G., Kalhor, N., van Riggelen, F., Brousse, D., Sammak, A., Vandersypen, L. M. K., Scappucci, G., Veldhorst, M.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 116, 080501 (2020)
Electrons and holes confined in quantum dots define an excellent building block for quantum emergence, simulation, and computation. In order for quantum electronics to become practical, large numbers of quantum dots will be required, necessitating th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.06575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sabbagh, D., Thomas, N., Torres, J., Pillarisetty, R., Amin, P., George, H. C., Singh, K., Budrevich, A., Robinson, M., Merrill, D., Ross, L., Roberts, J., Lampert, L., Massa, L., Amitonov, S., Boter, J., Droulers, G., Eenink, H. G. J., van Hezel, M., Donelson, D., Veldhorst, M., Vandersypen, L. M. K., Clarke, J. S., Scappucci, G.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 12, 014013 (2019)
We investigate the structural and quantum transport properties of isotopically enriched $^{28}$Si/$^{28}$SiO$_2$ stacks deposited on 300 mm Si wafers in an industrial CMOS fab. Highly uniform films are obtained with an isotopic purity greater than 99
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.06521
Autor:
Petit, L., Boter, J. M., Eenink, H. G. J., Droulers, G., Tagliaferri, M. L. V., Li, R., Franke, D. P., Singh, K. J., Clarke, J. S., Schouten, R. N., Dobrovitski, V. V., Vandersypen, L. M. K., Veldhorst, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 121, 076801 (2018)
We investigate the magnetic field and temperature dependence of the single-electron spin lifetime in silicon quantum dots and find a lifetime of 2.8 ms at a temperature of 1.1 K. We develop a model based on spin-valley mixing and find that Johnson no
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1803.01774