Zobrazeno 1 - 10
of 8 403
pro vyhledávání: '"Dram memory"'
Die-stacked DRAM is a promising solution for satisfying the ever-increasing memory bandwidth requirements of multi-core processors. Manufacturing technology has enabled stacking several gigabytes of DRAM modules on the active die, thereby providing o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.08828
Publikováno v:
In Journal of Systems Architecture September 2018 89:60-72
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sung Kyu Lim, Christian Krutzik, Jean Yang-Scharlotta, Anthony Agnesina, John M. Carson, James Yamaguchi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 28:2055-2068
The first mainstream products in three-dimensional integrated circuit (3-D IC) design are memory devices where multiple memory tiers are horizontally integrated to offer manifold improvements when compared with their 2-D counterparts. Unfortunately,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sunilprasad M, Mohankumar N
Publikováno v:
2021 Second International Conference on Electronics and Sustainable Communication Systems (ICESC).
A hardware attack is a vulnerable criterion that creates a weakness in a computer system enabling attack through remote or physical access to system hardware. This type of vulnerability may be due to random flaws in operation allowing attacks in the
Publikováno v:
2023 34th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Intelligent Manufacturing and Energy Sustainability ISBN: 9789813344426
An experimental study to develop a DRA memory cell in a live green Champo leaf was successfully carried out. One fresh experimental biomass green Champo leaf was plucked on which the transistor, restoring capacitor, and parasitic bit line capacitor w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8faf1d352b2c33314c1ad99dd3220b2
https://doi.org/10.1007/978-981-33-4443-3_41
https://doi.org/10.1007/978-981-33-4443-3_41