Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Douthwaite, Matthew"'
Autor:
Shojaei Baghini, Mahdieh, Vilouras, Anastasios, Douthwaite, Matthew, Georgiou, Pantelis, Dahiya, Ravinder
The ion-sensitive field effect transistors (ISFETs), proposed little over 50 years ago, today make the most promising devices for lab-on-a-chip, implantable, and point-of-care (POC) diagnostics. Their compatibility with CMOS (Complementary Metal Oxid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::428c94c4a2a15ac59e0527c9f48089ce
https://eprints.gla.ac.uk/260948/2/260948.pdf
https://eprints.gla.ac.uk/260948/2/260948.pdf
Autor:
Shojaei Baghini, Mahdieh, Vilouras, Anastasios, Douthwaite, Matthew, Georgiou, Pantelis, Dahiya, Ravinder
Publikováno v:
Electrochemical Science Advances; Dec2022, Vol. 2 Issue 6, p1-14, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Douthwaite, Matthew
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology has been a key driver behind the trend of reduced power consumption and increased integration of electronics in consumer devices and sensors. In the late 1990s, the integration of ion-sensitiv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::46d5511b100feb358ade2f1e02c5e01d
http://hdl.handle.net/10044/1/95084
http://hdl.handle.net/10044/1/95084
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.