Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"Douhard, Bastien"'
Publikováno v:
Nature Electronics (2020)
Hydrogen resist lithography using the tip of a scanning tunneling microscope (STM) is employed for patterning p-type nanostructures in silicon. For this, the carrier density and mobility of boron $\delta$-layers, fabricated by gas-phase doping, are c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.06188
Autor:
Jayachandran, Suseendran, Billen, Arne, Douhard, Bastien, Conard, Thierry, Meersschaut, Johan, Moussa, Alain, Caymax, Matty, Bender, Hugo, Vandervorst, Wilfried, Heyns, Marc, Delabie, Annelies
Publikováno v:
In Applied Surface Science 30 October 2016 384:152-160
Autor:
Franquet, Alexis, Douhard, Bastien, Melkonyan, Davit, Favia, Paola, Conard, Thierry, Vandervorst, Wilfried
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 March 2016 365:143-152
Autor:
Jayachandran, Suseendran, Delabie, Annelies, Billen, Arne, Dekkers, Harold, Douhard, Bastien, Conard, Thierry, Meersschaut, Johan, Caymax, Matty, Vandervorst, Wilfried, Heyns, Marc
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 January 2015 324:251-257
Autor:
Tsigkourakos, Menelaos, Hantschel, Thomas, Simon, Daniel K., Nuytten, Thomas, Verhulst, Anne S., Douhard, Bastien, Vandervorst, Wilfried
Publikováno v:
In Carbon November 2014 79:103-112
Autor:
Florakis, Antonios, Janssens, Tom, Posthuma, Niels, Delmotte, Joris, Douhard, Bastien, Poortmans, Jef, Vandervorst, Wilfried
Publikováno v:
In Energy Procedia 2013 38:263-269
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Hydrogen resist lithography using the tip of a scanning tunneling microscope (STM) is employed for patterning p-type nanostructures in silicon. For this, the carrier density and mobility of boron $��$-layers, fabricated by gas-phase doping, are c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::afb4bbf05b103a537e9c91cd61479461
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.