Zobrazeno 1 - 10
of 492
pro vyhledávání: '"Double quantum dot"'
Autor:
Bohórquez, Oscar
Publikováno v:
In Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 1 December 2024 655
Autor:
Bagas Prabowo, Jurgen Dijkema, Xiao Xue, Fabio Sebastiano, Lieven M. K. Vandersypen, Masoud Babaie
Publikováno v:
IEEE Transactions on Quantum Engineering, Vol 5, Pp 1-15 (2024)
In semiconductor spin quantum bits (qubits), the radio-frequency (RF) gate-based readout is a promising solution for future large-scale integration, as it allows for a fast, frequency-multiplexed readout architecture, enabling multiple qubits to be r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a3e1b80b7bf40fc9a53fee9fcf8d061
Autor:
V. Reiher, Y. Berube-Lauziere
Publikováno v:
IEEE Transactions on Quantum Engineering, Vol 4, Pp 1-10 (2023)
The double-quantum-dot device benefits from the advantages of both the spin and charge qubits, while offering ways to mitigate their drawbacks. Careful gate voltage modulation can grant greater spinlike or chargelike dynamics to the device, yielding
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d9e85c1f345440748c8cf13105e79724
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 75245-75256 (2022)
Electrostatically confined quantum dots in semiconductors hold the promise to achieve high scalability and reliability levels for practical implementation of solid-state qubits where the electrochemical potentials of each quantum dot can be independe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0ebad5ba3664520809ebcce8b87f0d1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.