Zobrazeno 1 - 10
of 1 841
pro vyhledávání: '"Double barrier"'
Autor:
Ru Xu, Peng Chen, Xiancheng Liu, Jianguo Zhao, Tinggang Zhu, Dunjun Chen, Zili Xie, Jiandong Ye, Xiangqian Xiu, Fayu Wan, Jianhua Chang, Rong Zhang, Youdou Zheng
Publikováno v:
Chip, Vol 3, Iss 1, Pp 100079- (2024)
GaN power electronic devices, such as the lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diode (SBD), have received significant attention in recent years. Many studies have focused on optimizing the breakdown voltage (BV) of the device, with a particular emphasi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/184b0a5faca8417593d4349b32f97d1e
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4 (2023)
This paper presents a comprehensive investigation into the DC analog and AC microwave performance of a state-of-the-art T-gate double barrier AlGaN/AlInGaN/GaN MOSHEMT (Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor) implemented on a 4H-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47e320f505104c7f93810fc76e78b4e4
Autor:
Guillaume Leduc
Publikováno v:
Mathematics, Vol 12, Iss 7, p 964 (2024)
Oscillations in option price convergence have long been a problematic aspect of tree methods, inhibiting the use of repeated Richardson extrapolation that could otherwise greatly accelerate convergence, a feature integral to some of the most efficien
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a0448cdd6a2e4b3ca5eefea994a2a1a1
Autor:
Esteban Garzon, Leonid Yavits, Giovanni Finocchio, Mario Carpentieri, Adam Teman, Marco Lanuzza
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 16812-16819 (2023)
In this paper, we propose an energy-efficient, reliable, hybrid, 10-transistor/2-Double-Barrier-Magnetic-Tunnel-Junction (10T2DMTJ) non-volatile (NV) ternary content-addressable memory (TCAM) with sub-nanosecond search operation. Our cell design reli
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0b8c07d74019444da96994f8508cc6e0
Publikováno v:
Advances in Pacific Basin Business, Economics and Finance
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 23, Iss 2, Pp 277-284 (2022)
The paper presents the design of pressure sensor with a frequency output signal that is based on the physical processes in a resonant tunnel diode under the action of pressure. The use of devices with negative differential resistance can significantl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4ed01e0bbead414f9e960f8f258876c1
Publikováno v:
Arab Journal of Mathematical Sciences, Vol 28, Iss 1, Pp 2-36 (2022)
Purpose – The purpose of this paper is to show the existence results for adapted solutions of infinite horizon doubly reflected backward stochastic differential equations with jumps. These results are applied to get the existence of an optimal impu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98c8d3606ad84aef8691b306191bd45e