Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Dorgan, Vincent E."'
Autor:
Kim, Young Duck, Kim, Hakseong, Cho, Yujin, Ryoo, Ji Hoon, Park, Cheol-Hwan, Kim, Pilkwang, Kim, Yong Seung, Lee, Sunwoo, Li, Yilei, Park, Seung-Nam, Yoo, Yong Shim, Yoon, Duhee, Dorgan, Vincent E., Pop, Eric, Heinz, Tony F., Hone, James, Chun, Seung-Hyun, Cheong, Hyeonsik, Lee, Sang Wook, Bae, Myung-Ho, Park, Yun Daniel
Publikováno v:
Nature Nanotechnology 2015
Graphene and related two-dimensional materials are promising candidates for atomically thin, flexible, and transparent optoelectronics. In particular, the strong light-matter interaction in graphene has allowed for the development of state-of-the-art
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.04222
Publikováno v:
Nano Letters, 16, 3824-3820 (2016)
The scaling of transistors to sub-10 nm dimensions is strongly limited by their contact resistance (Rc). Here we present a systematic study of scaling MoS2 devices and contacts with varying electrode metals and controlled deposition conditions, over
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.03972
Role of remote interfacial phonon (RIP) scattering in heat transport across graphene/SiO2 interfaces
Autor:
Koh, Yee Kan, Lyons, Austin S., Bae, Myung-Ho, Huang, Bin, Dorgan, Vincent E., Cahill, David G., Pop, Eric
Heat transfer across interfaces of graphene and polar dielectrics (e.g. SiO2) could be mediated by direct phonon coupling, as well as electronic coupling with remote interfacial phonons (RIPs). To understand the relative contribution of each componen
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.00358
Publikováno v:
Nano Letters 13, 4581-4586 (2013)
We study the intrinsic transport properties of suspended graphene devices at high fields (>1 V/um) and high temperatures (>1000 K). Across 15 samples, we find peak (average) saturation velocity of 3.6x10^7 cm/s (1.7x10^7 cm/s), and peak (average) the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1302.5440
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters, vol. 34, pp. 166-168 (2013)
We use simulations to examine current saturation in sub-micron graphene transistors on SiO2/Si. We find self-heating is partly responsible for current saturation (lower output conductance), but degrades current densities >1 mA/um by up to 15%. Heatin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1212.5629
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 97, 082112 (2010)
We examine mobility and saturation velocity in graphene on SiO2 above room temperature (300-500 K) and at high fields (~1 V/um). Data are analyzed with practical models including gated carriers, thermal generation, "puddle" charge, and Joule heating.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.2711
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, Zhanping, Kulkarni, Sarvesh H., Dorgan, Vincent E., Rajarshi, Salil Manohar, Jiang, Lei, Bhattacharya, Uddalak
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits; Apr2017, Vol. 52 Issue 4, p933-939, 7p