Výsledky vyhledávání - "Doremus, L. William"

Akademický článek

Maintenance of threshold on-state of an amorphous semiconductor by cw bias: Effects of temperature, frequency, and bias interruption.

Autor: Vezzoli, G. C., Doremus, L. William

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1973, Vol. 44 Issue 7, p3245-3252, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Amorphous semiconductor threshold on-state properties as functions of decay time, ambient temperature, and polarity.

Autor: Vezzoli, Gary C., Doremus, L. William, Tirellis, G. G., Walsh, Peter J.

Publikováno v: Applied Physics Letters; Mar1975, Vol. 26 Issue 5, p234-237, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Amorphous semiconductor threshold on−state properties as functions of decay time, ambient temperature, and polarity

Autor: Vezzoli, Gary C., Doremus, L. William, Tirellis, G. G., Walsh, Peter J.

Publikováno v: Applied Physics Letters; March 1975, Vol. 26 Issue: 5 p234-237, 4p

Zobrazit plný text záznamu