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pro vyhledávání: '"Dopagem de Semicondutores"'
Autor:
Anderson Magno Chaves Cunha
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCUniversidade Federal do CearáUFC.
CoordenaÃÃo de AperfeÃoamento de Pessoal de NÃvel Superior
Ondas de spin sÃo excitaÃÃes coletivas que surgem em materiais magnÃticos. Essas excitaÃÃes sÃo causadas por perturbaÃÃes no sistema magnÃtico. Por exemplo, uma pequena var
Ondas de spin sÃo excitaÃÃes coletivas que surgem em materiais magnÃticos. Essas excitaÃÃes sÃo causadas por perturbaÃÃes no sistema magnÃtico. Por exemplo, uma pequena var
Autor:
Cunha, Anderson Magno Chaves
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFCUniversidade Federal do CearáUFC.
CUNHA, Anderson Magno Chaves. Correspondência entre ondas de spin de um ferromagneto em uma rede favo de mel e a banda de energia do grafeno. 2014. 88 f. Tese (Doutorado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física,
Externí odkaz:
http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/8968
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo das sínteses de SiC
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/79514
Autor:
Leonardo Cristiano Campos
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFMG
Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG
Nessa tese, estudamos a fabricação e propriedades de transporte elétrico em nanoestruturas como nanofios de ZnO e grafeno. Em nanofios de ZnO, elaboramos um trabalho sobre o mecanismo de crescimento em baixas temperaturas, onde a fabricação de n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::17aa828611de0a2b1893f46751ad7c90
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Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta concentração, a pa
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/18427
Autor:
Pires, Rafael Fernando
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
As propriedades magnéticas e de magneto-transporte de filmes finos de diamante dopado com boro e de amostras massivas de grafite pirolítico altamente orientado (HOPG) implantado com sódio foram estudadas experimentalmente em função da temperatur
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/18424
Autor:
Oliveira, Roana Melina de
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As imp
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/11793
Autor:
Fitzgerald, C.B., Venkatesan, M., Dorneles, Lucio Strazzabosco, Gunning, R., Stamenov, Plamen, Coey, John Michael Douglas, Stampe, P.A., Kennedy, R.J., Moreira, Eduardo Ceretta, Sias, Uilson Schwantz
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Thin films of SnO2 prepared by pulsed-laser deposition on R-cut sapphire substrates exhibit ferromagnetic properties at room temperature when they are doped with Cr, Mn, Fe, Co, or Ni, but not with other 3d cations. Extrapolated Curie temperatures ar
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::7d6bdf2a008121b7a90910af86809e46
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Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
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The evolution of the sheet resistance (Rs) in n-type GaAs layers during ion irradiation was studied using light mass projectiles like proton, deuterium, and helium ions at various energies. For all the cases, at the beginning of the irradiation, Rs i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::58d375bd3afaadaf553f3024f0748733
https://doi.org/10.1063/1.116391
https://doi.org/10.1063/1.116391
Autor:
Clas Persson, Yoko Suzuki, J. P. de Souza, Yuqing Yang, Rajeev Ahuja, Iuri Muniz Pepe, Bo E. Sernelius, A. Ferreira da Silva
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
The electrical resistivity was investigated from room temperature down to 1.7 K for the shallow acceptor carbon in GaAs prepared by ion implantation with impurity concentrations between 1017 and 1019 cm-³. Good agreement was obtained between the mea
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e2827a9bed087d40184cf158ce2e93e1