Výsledky vyhledávání

Direct contact of indium tin oxide layer to Al(Ni) alloy electrodes for a-Si:H thin film transistors: Effects of Ni alloying on interfacial oxide growth and contact resistance

Autor: Yang-Ho Bae, Chang-Oh Jeong, Jaegab Lee, Ho-Seok Nam, Dooman Han, K. B. Lee, Kyunghoon Jeong

Publikováno v: Thin Solid Films. 546:9-13

Sputtering of indium tin oxide (ITO) on pure Al substrate produces an Al 2 O 3 layer at the interface, leading to Schottky contact characteristics. A very small amount of Ni (2 at.% Ni) added to Al drastically reduces the contact resistance of an ITO

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::134e4656b78ac3c8c728792ec35f091f
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.05.035

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání