Zobrazeno 1 - 10 of 230 pro vyhledávání: '"Donolato, C."'
1
Akademický článek
Analytical and numerical inversion of the Laplace–Carson transform by a differential method
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: In Computer Physics Communications 2002 145(2):298-309
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Identification of the free boundary of a space-charge region with the aid of a Laplacian potential.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/2006, Vol. 99 Issue 2, p024911, 4p, 1 Diagram, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Reconstruction of the charge collection probability in a solar cell from internal quantum efficiency measurements.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2001, Vol. 89 Issue 10, p5687, 9p, 1 Chart, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Computer simulation of SEM electron beam induced current images of dislocations and stacking faults.
Autor: Donolato, C., Klann, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1980, Vol. 51 Issue 3, p1624-1633, 10p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Reciprocity theorem for charge collection by a surface with finite collection velocity: Application to grain boundaries.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1994, Vol. 76 Issue 2, p959, 8p, 2 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Reconstruction of the charge collection probability in a semiconductor diode from collection efficiency measurements by the regularization method.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1991, Vol. 69 Issue 10, p7287, 8p, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Depth profiling of the minority-carrier diffusion length in intrinsically gettered silicon by electron-beam-induced current.
Autor: Donolato, C., Kittler, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1988, Vol. 63 Issue 5, p1569, 11p, 1 Diagram, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Defects introduced in silicon wafers during rapid isothermal annealing: Thermoelastic and thermoplastic effects.
Autor: Bentini, G. G., Correra, L., Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p2922-2929, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Theory of beam induced current characterization of grain boundaries in polycrystalline solar cells.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1983, Vol. 54 Issue 3, p1314-1322, 9p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Modeling the effect of dislocations on the minority carrier diffusion length of a semiconductor.
Autor: Donolato, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1998, Vol. 84 Issue 5, p2656, 9p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje