Zobrazeno 1 - 10
of 253
pro vyhledávání: '"Donat Josef As"'
Autor:
Mahdi Hajlaoui, Stefano Ponzoni, Michael Deppe, Tobias Henksmeier, Donat Josef As, Dirk Reuter, Thomas Zentgraf, Gunther Springholz, Claus Michael Schneider, Stefan Cramm, Mirko Cinchetti
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-7 (2021)
Abstract Quantum well (QW) heterostructures have been extensively used for the realization of a wide range of optical and electronic devices. Exploiting their potential for further improvement and development requires a fundamental understanding of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0679b3ef16534d6b8c5fbd41db5044c3
Autor:
Hajlaoui, Mahdi, Ponzoni, Stefano, Deppe, Michael, Henksmeier, Tobias, As, Donat Josef, Reuter, Dirk, Zentgraf, Thomas, Schneider, Claus Michael, Cinchetti, Mirko
Quantum well (QW) heterostructures have been extensively used for the realization of a wide range of optical and electronic devices. Exploiting their potential for further improvement and development requires a fundamental understanding of their elec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.05166
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
physica status solidi (b).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zscherp, Mario Fabian, Jentsch, Silas Aurel, Müller, Marius Johannes, Lider, Vitalii, Becker, Celina, Chen, Limei, Littmann, Mario, Meier, Falco, Beyer, Andreas, Hofmann, Detlev Michael, As, Donat Josef, Klar, Peter Jens, Volz, Kerstin, Chatterjee, Sangam, Schörmann, Jörg
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 8/23/2023, Vol. 15 Issue 33, p39513-39522, 10p
Autor:
Meier, Falco, Littmann, Mario, Bürger, Julius, Riedl, Thomas, Kool, Daniel, Lindner, Jörg, Reuter, Dirk, As, Donat Josef
Publikováno v:
Physica Status Solidi (B); Aug2023, Vol. 260 Issue 8, p1-10, 10p
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 49:2008-2017
This paper presents a physics-based compact of indium mole fraction dependent analytical model for static and dynamic characteristics of GaN-based MOS-HEMTs. The model covers all the different operating regimes of the MOS-HEMT devices. The model is e
Autor:
Falco Meier, Mario Littmann, Julius Bürger, Thomas Riedl, Daniel Kool, Jörg Lindner, Dirk Reuter, Donat Josef As
Publikováno v:
physica status solidi (b). :2200508