Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Doetsch, U."'
Autor:
Doetsch, U., Gennser, U., Heinzel, T., Luescher, S., David, C., Dehlinger, G., Gruetzmacher, D., Ensslin, K.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 78, 341 (2001)
A single hole transistor is patterned in a p-Si/SiGe quantum well by applying voltages to nanostructured top gate electrodes. Gating is achieved by oxidizing the etched semiconductor surface and the mesa walls before evaporation of the top gates. Pro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0009323
Autor:
Senz, V., Doetsch, U., Gennser, U., Ihn, T., Heinzel, T., Ensslin, K., Hartmann, R., Gruetzmacher, D.
Publikováno v:
Annalen d. Physik, 8, Special Issue, 237-240, 1999
The low-temperature resistivity of a SiGe 2-dimensional hole gas has been studied using the gate controlled carrier density as a parameter. A metal-insulator transition is seen both in the temperature and in the electric field behaviour. Values of 1
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9903367
Publikováno v:
2012 IEEE 23rd International Symposium on Personal, Indoor & Mobile Radio Communications - (PIMRC); 1/ 1/2012, p191-196, 6p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Doetsch, U., Wieck, A. D.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B; 1998, Vol. 139 Issue: 1 p12-19, 8p
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a56867f01faec24350b817d5e7585054
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84916917401&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84916917401&partnerID=MN8TOARS
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1a434470e6ac0de968ddb737a408114e
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84890951694&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84890951694&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.