Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Dobrushkin, V."'
A model of arsenic clustering in silicon is proposed and analyzed. The main feature of the proposed model is the assumption that negatively charged arsenic complexes play a dominant role in the clustering process. To confirm this assumption, electron
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0512653
Autor:
Dobrushkin, V.1, Maxey, M.1
Publikováno v:
Differential Equations. Sep2008, Vol. 44 Issue 9, p1305-1312. 8p. 1 Chart, 1 Graph.
The model of transient enhanced diffusion of arsenic in silicon taking into account the effect of the elastic stress on the drift of "dopant atom — point defect" pairs has been developed and high concentration diffusion of ion-implanted As near the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1594::0dc30d47502ee062729bed99387f659f
http://elib.bsu.by/handle/123456789/208220
http://elib.bsu.by/handle/123456789/208220
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Computational Physics. May2002, Vol. 178 Issue 1, p196. 14p.
Autor:
Dobrushkin, V., Étingof, M.
Publikováno v:
Measurement Techniques; Jul1991, Vol. 34 Issue 7, p644-648, 5p
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dobrushkin, V., Étingof, M.
Publikováno v:
Measurement Techniques; Oct1993, Vol. 36 Issue 10, p1119-1120, 2p