Zobrazeno 1 - 10
of 1 562
pro vyhledávání: '"Displacement Damage"'
Autor:
Ting Wang, Yue Yuan, Xiu-Li Zhu, Wangguo Guo, Jipeng Zhu, Shiwei Wang, Long Cheng, Guang-Hong Lu
Publikováno v:
Nuclear Materials and Energy, Vol 41, Iss , Pp 101775- (2024)
Surface damage and fuel retention are one of the major threats to the performance of plasma-facing materials (PFMs) in ITER and future fusion reactors. This work aims to investigate the influence of suppressed blistering by heavy ion pre-damage on de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b318524c0aaa4cfb838700694f576454
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Acta Materialia 1 January 2025 284
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Young Jo Kim, Youngboo Moon, Jeong Hyun Moon, Hyoung Woo Kim, Wook Bahng, Hongsik Park, Young Jun Yoon, Jae Hwa Seo
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 9, Iss 3, Pp 100765- (2024)
In this study, we fabricated vertical Schottky barrier diodes (SBDs) based on wide bandgap semiconductor beta-phase gallium oxide (β-Ga2O3) and silicon carbide (SiC), respectively, and conducted proton irradiation experiments to analyze the radiatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe363854dced4a62a854bf4586c557be
Autor:
Wang, Ting a, b, Yuan, Yue a, b, ⁎, Zhu, Xiu-Li c, Guo, Wangguo d, Zhu, Jipeng e, Wang, Shiwei f, Cheng, Long a, b, Lu, Guang-Hong a, b
Publikováno v:
In Nuclear Materials and Energy December 2024 41
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2274-2280 (2023)
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have excellent physical and chemical stability, which gives it great potential for use in consumer, industrial and space applications. However, the defects of epitaxial growth AlGaN/GaN HEMTs are d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/490e42bf59714803b3c7962688f07cd8
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 57, Iss 12, Pp 2348-2356 (2023)
GaInP/GaAs/Ge triple junction solar cells have the advantages of high reliability, long life, and high photoelectric conversion efficiency, making them the core components of current spacecraft space power systems. However, the radiation particles in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d24cf6398c2483bbbfbce352db5bccd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.