Zobrazeno 1 - 10
of 2 494
pro vyhledávání: '"DipTE"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 September 2018 498:301-306
Publikováno v:
Saber, Vol 27, Iss 2, Pp 232-241 (2018)
The classification systems of the subfamily Phlebotominae has been mainly based on morphological characters of adult stages, and mostly studied under light microscopy. Scanning Electron Microscopy (SEM) provides additional information for the identif
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doajarticles::d22125859ceee0e4117edd6478601cc7
http://ojs.udo.edu.ve/index.php/saber/article/view/1745/1197
http://ojs.udo.edu.ve/index.php/saber/article/view/1745/1197
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, 2018, 498, pp.301-306. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2018.07.003⟩
Journal of Crystal Growth, 2018, 498, pp.301-306. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2018.07.003⟩
In this work, we have investigated the growth of highly n-doped gallium arsenide (GaAs) and gallium indium phosphide (GaInP) with tellurium (Te) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using diisopropyl telluride (DIPTe), aiming at fabricating h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f8ec72316f610df04ae014c53d737e8
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.07.003
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.07.003
Publikováno v:
Congreso Internacional de Investigacion Academia Journals; 2021, Vol. 13 Issue 4, p988-993, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 164:420-424
Triisopropylindium-diisopropyltellurium (TIPInDIPTe) has been investigated as an alternative n-type dopant for InP. TIPInDIPTe was used to provide n-type doping in InP with electron concentrations as high as 1.4 × 1020cm−3. The Te concentrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a60be9395e280c28053d43ec36977f63
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)01020-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)01020-3
Autor:
Evstigneev, V. S.1 (AUTHOR) evstigvs@gmail.com, Chilyasov, A. V.1 (AUTHOR), Moiseev, A. N.1 (AUTHOR), Morozov, S. V.2 (AUTHOR), Kuritsyn, D. I.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. 2021, Vol. 55 Issue 1, p7-13. 7p.
Publikováno v:
Weed Science, 2007 Sep 01. 55(5), 481-485.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/4539602