Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Diode heterostructures"'
Autor:
Ivan G Orletsky, Mariya I Ilashchuk, Eduard V Maistruk, Hryhorii P Parkhomenko, Pavlo D Marianchuk, Ivan P Koziarskyi, Dmytro P Koziarskyi
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 8, Iss 1, p 015905 (2021)
The conditions for obtaining diode heterostructures of MnS/ n -CdZnTe by the method of spray pyrolysis of MnS alabandite thin films on n -CdZnTe crystalline substrates were investigated. Based on the analysis of the temperature dependences of the I-V
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/414f456ef9ce4a29971d2610c531e315
Autor:
Kolbe, Tim, Knauer, Arne, Rass, Jens, Cho, Hyun Kyong, Mogilatenko, Anna, Hagedorn, Sylvia, Lobo Ploch, Neysha, Einfeldt, Sven, Weyers, Markus
The effects of design and thicknesses of different optically transparent p-current spreading layers [short-period superlattice, superlattice (SL), and bulk p- (Formula presented.)] as well as the type and thickness of the p-GaN cap layer on the elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::743c42a9762d4185af824cdd94700679
Autor:
Sven Einfeldt, Jens Rass, Sylvia Hagedorn, Neysha Lobo Ploch, Markus Weyers, Anna Mogilatenko, Hyun Kyong Cho, Arne Knauer, Tim Kolbe
Publikováno v:
physica status solidi (a). 217:2000406
The effects of design and thicknesses of different optically transparent p-current spreading layers [short-period superlattice, superlattice (SL), and bulk p- Al 0.38 Ga 0.62 N ] as well as the type and thickness of the p-GaN cap layer on the electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a535e713c1c73ad16ae97f2be9167dd3
https://doi.org/10.1002/pssa.202000406
https://doi.org/10.1002/pssa.202000406
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gambaryan, K.M., Harutyunyan, V.G., Aroutiounian, V.M., Boeck, T., Marquardt, O., Schuette, F.
The mid-infrared photoconductive cells (PCC) made of n-InAs(100) crystals with InAsSbP quantum dots (QDs) on the PCC surface, as well as InAsSbP-based diode heterostructures with QDs on epilayer–substrate interface are reported. Both QDs-based semi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::a8174c0a669b1883269bc631b8ae62ab
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35354
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35354
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.