Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"Dingsun, An"'
Autor:
Liu, Tong, Huang, Rong, Li, Fangsen, Huang, Zengli, Zhang, Jian, Liu, Jianping, Zhang, Liqun, Zhang, Shuming, Dingsun, An, Yang, Hui
Publikováno v:
In Current Applied Physics July 2018 18(7):853-858
Autor:
Huang, Rong, Liu, Tong, Zhao, Yanfei, Zhu, Yafeng, Huang, Zengli, Li, Fangsen, Liu, Jianping, Zhang, Liqun, Zhang, Shuming, Dingsun, An, Yang, Hui
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 May 2018 440:637-642
Autor:
Rong Huang, Fangsen Li, Tong Liu, Yanfei Zhao, Yafeng Zhu, Yang Shen, Xiaoming Lu, Zengli Huang, Jianping Liu, Liqun Zhang, Shuming Zhang, Zhanping Li, An Dingsun, Hui Yang
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 8, Iss 1, Pp 1-7 (2018)
Abstract Contact property is now becoming to be a key factor for achieving high performance and high reliability in GaN-based III-V semiconductor devices. Energetic ion sputter, as an effective interface probe, is widely used to profile the metal/GaN
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/02c5678d388b4ceabcb9031e76bd7986
Autor:
Zhong, Yaozong, Zhou, Yu, Gao, Hongwei, Dai, Shujun, He, Junlei, Feng, Meixin, Sun, Qian, Zhang, Jijun, Zhao, Yanfei, DingSun, An, Yang, Hui
Publikováno v:
In Applied Surface Science 31 October 2017 420:817-824
Autor:
Yu Zhou, Yaozong Zhong, Hongwei Gao, Shujun Dai, Junlei He, Meixin Feng, Yanfei Zhao, Qian Sun, An Dingsun, Hui Yang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 5, Pp 340-346 (2017)
An enhancement-mode high-electron-mobility transistor with a p-GaN gate was fabricated by using a chemistry-ease Cl2/N2/O2-based inductively coupled plasma etching technique. This etching technique features a precise etching self-termination at the A
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c83b78dcd76d4e3196e9420e20d4f2d7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lili Zhang, Wanjin Xu, Tianchao Xu, Renchuan He, Rong Huang, Chuanqin Liu, Yanping Li, An Dingsun, Chi-Jie Xiao, Guogang Qin
Publikováno v:
Physica Scripta. 98:055929
This work made an in-depth study on the transport of B, Al and Ag ions in an inductively coupled plasma-Si system. The plasma-stimulated impurity ion transport is demonstrated to be described by an implantation-diffusion two-step process rather than
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b71c22bf8420146b2ab1bc3c7fc7ae0
https://doi.org/10.1088/1402-4896/accb1c
https://doi.org/10.1088/1402-4896/accb1c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.