Výsledky vyhledávání - "Dilute nitride compound semiconductors"

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

The structural and optical characterization of a new class of dilute nitride compound semiconductors: GaInNP

Autor: F. S. Juang, Hung-Pin Hsu, Yan-Kuin Su, Chung Lin Wu, Charles W. Tu, Y. G. Hong, Ying-Sheng Huang

Publikováno v: Journal of Physics: Condensed Matter. 16:S3245-S3256

We report a detailed structural and optical characterization of Ga0.46In0.54NxP1?x () films grown by gas-source molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates. The polarized?high resolution x-ray rocking curves (HXRC) and contactless electroreflectan

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::874a6d4cec8e17fcf347521cdf4a12d8
https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/31/018

Zobrazit plný text záznamu

Dilute Nitride Compound Semiconductors for Optoelectronic Devices

Autor: Jouhti, T.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4853::5b501050fab110ee0437e58a50cd2459

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Band structure and absorption properties of (Ga, In)/(P, As, N) symmetric and asymmetric quantum wells and super-lattice structures: Towards lattice-matched III-V/Si tandem.

Autor: Kharel, K., Freundlich, A.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 9, pN.PAG-N.PAG, 12p, 4 Diagrams, 1 Chart, 14 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Autor: Oberhoff, Stefan

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikro

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52295bfb3b91dd0d8605e228738d7b75
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070

Zobrazit plný text záznamu

Report

Ab initio calculations of the concentration dependent band gap reduction in dilute nitrides

Autor: Rosenow, Phil, Bannow, Lars C., Fischer, Eric W., Stolz, Wolfgang, Volz, Kerstin, Koch, Stephan W., Tonner, Ralf

Publikováno v: Phys. Rev. B 97, 075201 (2018)

While being of persistent interest for the integration of lattice-matched laser devices with silicon circuits, the electronic structure of dilute nitride III/V-semiconductors has presented a challenge to ab initio computational approaches. The root o

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1705.10763

Zobrazit plný text záznamu