Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Dill, Joseph E."'
We develop a two-carrier Hall effect model fitting algorithm to analyze temperature-dependent magnetotransport measurements of a high-density ($\sim4\times10^{13}$ cm$^2$/Vs) polarization-induced two-dimensional hole gas (2DHG) in a GaN/AlN heterostr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2412.03818
Autor:
Agrawal, Shivali, van Deurzen, Len, Encomendero, Jimy, Dill, Joseph E., Wei, Hsin, Huang, Protasenko, Vladimir, Huili, Xing, Jena, Debdeep
Ultrawide bandgap heterojunction p-n diodes with polarization-induced AlGaN p-type layers are demonstrated using plasma-assisted molecular beam epitaxy on bulk AlN substrates. Current-voltage characteristics show a turn on voltage of $V_{\text{bi}}\a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.08487
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.