Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Digital electronic devices"'
1. Переключаемый двухполосный фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::09900b4da2ff4f5525b639889acd4c33
Многочастотная матрица пьезоэлектрических микроэлектромеханических ультразвуковых преобразователей, состоящая из полупроводниково
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fdd83c4c012bc971a43cb895fe7c0fe
1. 1,3,3-триметил-5-метокси-6´-бром-8´-[(Е)-2-(1´´,3´´,3´´-триметил-5-метокси-3Н-индолий-2´´-ил)винил]-спиро[индолин-2,2´-2Н-хромен]йодид. 2. 1,3,3-триметил-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ab80606d14654653ad3ffc9e0c61378
Логический элемент «Исключающее ИЛИ», содержащий первый, второй, третий, четвертый, пятый и шестой транзисторы n-p-n-типа и первый, второй
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5ba87f99c56261a6be8935e6da721f5
Логический элемент «Исключающее ИЛИ», содержащий первый, второй, третий, четвертый и пятый транзисторы n-p-n-типа и первый, второй, третий
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b523b101bf23be0d064bd7bd9accfe9f
1. Способ получения тонких пленок оксида цинка, или оксида олова, или смешанных оксидов цинка и олова (IV), прозрачных в видимом диапазоне с
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbd906189dc2ce67c348a6e248558342
Объёмное полупроводниковое устройство с управляемым падающим участком индуцированной вольтамперной характеристики, состоящее из пол
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce63fd4a5987a9ba186c10629856ca1e
1. Интегральный наноэлектромеханический туннельный переключатель, содержащий полуизолирующую подложку, несущую балку, первый подвижны
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0357b84b4bcc8532f5c73af3bfaaca5e
1. Интегральный наноэлектромеханический туннельный переключатель, содержащий полуизолирующую подложку, несущую балку, первый подвижны
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5eeea475b94a70d8ee48abc9a57992b5
Autor:
Joe, Jerin
The advancement of semiconductor technology has resulted in the development of devices that are fast, cost-effective, low-power, and high-performance. Many gates are integrated into smaller areas, resulting in increased complexity of digital circuits
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3c200913d4f52660a76fe226780b3b4a