Zobrazeno 1 - 10 of 184 pro vyhledávání: '"Dietrich, H. B."'
1
Akademický článek
Observation of ion-implantation-damage-created n-type conductivity in InP after high-temperature annealing.
Autor: Molnar, B., Kennedy, T. A., Glaser, E. R., Dietrich, H. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1993, Vol. 74 Issue 5, p3091, 8p, 4 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Site transfer of Si in GaAs after heavy ion MeV implantation and annealing.
Autor: Moore, F. G., Klein, P. B., Dietrich, H. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1992, Vol. 72 Issue 7, p2692, 8p, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
High-energy Si implantation into InP:Fe.
Autor: Nadella, Ravi K., Rao, Mulpuri V., Simons, David S., Chi, Peter H., Fatemi, M., Dietrich, H. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1991, Vol. 70 Issue 3, p1750, 8p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
H, He, and N implant isolation of n-type GaN.
Autor: Binari, S. C., Dietrich, H. B., Kelner, G., Rowland, L. B., Doverspike, K., Wickenden, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1995, Vol. 78 Issue 5, p3008, 4p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Gallium arsenide transferred-electron devices by low-level ion implantation.
Autor: Anderson, W. T., Dietrich, H. B., Swiggard, E. W., Lee, S. H., Bark, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1980, Vol. 51 Issue 6, p3175-3177, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
In0.53Ga0.47As metal-semiconductor-metal photodetector using proton bombarded p-type material.
Autor: Rao, Mulpuri V., Hong, W-P., Caneau, C., Chang, G-K., Papanicolaou, N., Dietrich, H. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1991, Vol. 70 Issue 7, p3943, 3p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Dual implants in InGaAs.
Autor: Rao, Mulpuri V., Moore, F., Dietrich, H. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1990, Vol. 68 Issue 7, p3763, 3p, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Kniha
GaN FETs for Microwave and High-Temperature Applications.
Autor: BINARI, S. C., DOVERSPIKE, K., KELNER, G., DIETRICH, H. B., WICKENDEN, A. E.
Publikováno v: High-Temperature Electronics; 1998, p485-488, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje