Zobrazeno 1 - 10 of 32 pro vyhledávání: '"Dienot, J. M."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Conference
Capacitive couplings modeling in concentrated windings.
Autor: Chavez, J. I. Ramos, Dienot, J-M., Vidal, P-E., Viguier, C., Nogarede, B.
Publikováno v: 2016 XXII International Conference on Electrical Machines (ICEM); 2016, p1387-1393, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Conference
Contribution to modeling of parasitic couplings for predicting EMC behavior of electrical machines.
Autor: Ramos, J. I., Dienot, J-M., Vidal, P-E., Viguier, C., Nogarede, B.
Publikováno v: 2014 International Conference on Electrical Machines (ICEM); 2014, p1056-1062, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Full electro-thermal model of a 6.5kV field-stop IGBT module.
Autor: Castellazzi, A., Batista, E., Ciappa, M., Dienot, J.-M., Mermet-Guyennet, M., Fichtner, W.
Publikováno v: 2008 IEEE Power Electronics Specialists Conference; 2008, p392-397, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
EMC characterization for switching noise investigation on power transistors.
Autor: Batista, E., Dienot, J.-M.
Publikováno v: 2008 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility; 2008, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Use of Accurate Chip Level Modeling and Analysis of a Power Module to establish Reliability Rules.
Autor: De Maglie, R., Lourdel, G., Austin, P., Dienot, J.-M., Schanen, J.-L., Sanchez, J.-L.
Publikováno v: 2006 IEEE International Symposium on Industrial Electronics; 2006, p1571-1576, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Periodical
Collapse and large signal modelling of GaAs field effect transistors at 77 K
Autor: Verdier, J., Llopis, O., Dienot, J. M., Plana, R., Andre, Ph., Graffeuil, J., Verdier, J., Llopis, O., Dienot, J. M., Plana, R., Andre, Ph., Graffeuil, J.
Publikováno v: Journal de Physique IV - Proceedings; September 1994, Vol. 4 Issue: 1 pC6-165-C6-170, 1656165p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje