Zobrazeno 1 - 10
of 170
pro vyhledávání: '"Dielectric reliability"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Weisheng Li, Xinran Wang, Lei Liu, Hongkai Ning, Wanqing Meng, Zhongzhong Luo, Taotao Li, Peng Wang, Songhua Cai, Yong Xu, Zhihao Yu, Yi Shi
Publikováno v:
2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Due to the absence of dangling bonds, the integration of ultra-thin dielectric on 2D semiconductors has become a huge challenge, and its reliability research has been blank before. For the first time, we report the high $-\mathcal{K}$ dielectric reli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b709913b60ab525e8d8e0a22d255e836
https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420995
https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420995
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vidal-Dho, Matthias
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. English. ⟨NNT : 2020GRALT066⟩
Over the past decades, scaling of microelectronic chips, in particular transistors and memory cells, has allowed to increase substantially both the density of integrated circuit and integrate the umber of functions offered. Such scaling required the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::490501bb88db2f004891f7968334dfda
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03205937
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03205937
Autor:
Hong, Changsoo
The objective of the research is to model the reliability and breakdown mechanism of back-end dielectrics in integrated circuits and to investigate the impact of physical design characteristics on the back-end dielectric reliability. As design and pr
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/14137
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.